لایه‌نشانی فیلم‌های لایه نازک : در این مجموعه توسط دستگاه های مختلف مانند اسپاترینگ، رسوب دهی شیمیایی از فاز بخار (CVD) و …لایه نشانی انواع فلزات مانند طلا، تیتانویم و … و نیز مواد غیرفلزی مانند WS2 و … امکان پذیر است.

پروسه‌های ساخت افزاره های میکرونی شامل لیتوگرافی و …. : در راستای ساخت افزاره‌های میکرونی همانند سنسورها، ادوات ماکروفلوئیدیک، الکترودها از مواد مختلف در تمام مراحل شامل لایه‌نشانه چرخشی (spin coater)، لیتوگرافی، لایه‌برداری (Etching) و … خدمات ارایه می‌شود.

اتصالات الکتریکی میکرونی توسط wire bonder: اتصال مابین یک افزاره میکرونی با الکترودهای قابل استفاده در مدارهای معمول مانند اتصال IC به الکترودهای پکیج انجام می‌پذیرد.

اندازه‌گیری پارامترهای مغناطیسی با حساسیت بالا در محدوده دمایی گسترده: به منظور اندازه‌گیری ونقشه‌برداری میدان مغناطیسی در محیط‌های مختلفِ کاری از میدان‌های با دامنه بزرگ (در رنج میکروتسلا) مانند اندازه‌گیری توزیع میدان مغناطیسی در محل نصب دستگا‌ه‌های حساس مانند میکروسکوپ‌های الکترونی، اندازه‌گیری میدان مغناطیسی زمین و تغییرات آن، تا میدان‌های با دامنه کوچک مانند میدان در اتاق‌های شیلد تا فمتوتسلا در بازه فرکانسی DC و AC خدمات ارائه می‌شود.اندازه‌گیری‌ها با انواع سنسورهای برداری و اسکالر و تا دمای 77^OK (نیتروژن مایع) بسته به نیاز قابل انجام است. اندازه گیری میدان شامل اندازه‌گیری پارامترهای وابسته مانند B،H، mمی‌گردد.

اندازه‌گیری میدان‌های الکتریکی با حساسیت بالا

مشخصه یابی:

• با استفاده از دستگاه چهار-پروب اندازه‌گیری‌های :
  • اندازه گیری مشخصه جریان-ولتاژ (I-V)
  • اندازه گیری دقیق مقاومت الکتریکی تا محدوده میکرو اهم
  • مشخصه یابی الکتریکی در ابعاد کوچک با سامانه probe station
  • مقاومت سطحی لایه‏ های فلزی، لایه‏ های نیمه هادی و …
  • بررسی کیفیت و ضخامت لایه‏ نشانی در مکان‏های مختلف نمونه
  • بدست آوردن مقاومت ویژه (با داشتن ضخامت)
  • اندازه‏ گیری ضخامت لایه (با داشتن مقاومت ویژه)
• امپدانس متری مواد و افزاره ها فرکانسDC تا 10 مگاهرتز
• اندازه گیری خواص اپتیکی مواد (طیف عبوری و انعکاسی diffuse) در محدوده MIR و NIR و VIS  وUV
• مشخصه‌یابی ادوات اپتیکی
• اندازه گیری مشخصه های موج میلیمتری مواد در محدوده 1/0 تا 3 تراهرتز